Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS6B25NLWFT1G

NVMFS6B25 - SINGLE N-CHANNEL POW

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS6B25

NVMFS6B25NLWFT1G Hakkında

NVMFS6B25NLWFT1G, Rochester Electronics tarafından üretilen tek kanallı N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilim derecelendirmesine ve 8A sürekli drain akımına sahiptir. 24mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. Surface Mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılmasını mümkün kılar. 3.6W (Ta) ve 62W (Tc) güç dissipasyon kapasitesi ile enerji verimliliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta), 33A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 905 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok