Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS6B25NLT1G

MOSFET N-CH 100V 8A/33A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS6B25NL

NVMFS6B25NLT1G Hakkında

NVMFS6B25NLT1G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim kapasitesiyle, 33A sürekli drenaj akımı sağlayarak güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. 24mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı karakteristiğine sahiptir. 5DFN (PowerTDFN) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. DC-DC dönüştürücüler, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri ve yük anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta), 33A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 905 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok