Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS6B14NWFT3G

MOSFET N-CH 100V 15A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS6B14NW

NVMFS6B14NWFT3G Hakkında

NVMFS6B14NWFT3G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 55A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 10mOhm maksimum on-state direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. 5DFN (5x6) yüzey montajlı paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor sürücülerinde ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 4V kapı eşik gerilimi ve 20nC kapı yükü hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok