Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS6B14NLT1G

MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS6B14N

NVMFS6B14NLT1G Hakkında

NVMFS6B14NLT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 55A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 13mOhm maksimum on-state direnci (10V gate geriliminde) ile düşük enerji kaybı sağlar. 8-PowerTDFN (5 pin) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor sürücüler, anahtarlama güç kaynakları, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 94W güç dağıtımına (Tc) kadar dayanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta), 55A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok