Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS6B05NT1G

MOSFET N-CH 100V 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS6B05NT1G

NVMFS6B05NT1G Hakkında

NVMFS6B05NT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajı ve 114A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 8mOhm (10V, 20A) on-resistance değeri ile enerji tasarrufu sağlar. 5DFN yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol uygulamalarında ve güç yönetimi sistemlerinde yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, 44nC gate charge ve 3100pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Maksimum ±16V gate voltajı ve 4V threshold voltajı ile standart anahtarlama uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 114A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok