Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS6B05NLWFT3G

NVMFS6B05 - SINGLE N-CHANNEL POW

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS6B05

NVMFS6B05NLWFT3G Hakkında

NVMFS6B05NLWFT3G, Rochester Electronics tarafından üretilen tek kanallı N-channel power MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 114A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 5.6mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-pin PowerTDFN Surface Mount paketinde sunulan bu komponent, güç yönetimi, motor sürücüleri, DC-DC konverterler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 3.8W (Ta) / 165W (Tc) güç disipasyonu kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 114A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3980 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok