Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVMFS6B05NLT1G
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVMFS6B05NLT1G
NVMFS6B05NLT1G Hakkında
NVMFS6B05NLT1G, Rochester Electronics tarafından üretilen tek kanallı N-channel power MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj (Vdss) ile 114A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 5.6mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN (5 bacak) pakette gelen bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç yönetim devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. ±16V gate voltajı ile uyumlu olup 3.8W Ta ve 165W Tc güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 114A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3980 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok