Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS6B03NLT3G

MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS6B03NLT3G

NVMFS6B03NLT3G Hakkında

NVMFS6B03NLT3G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 20A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 4mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerTDFN 5-lead paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve enerji yönetim uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arası geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. Surface mount teknolojisine uygun tasarımı, yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında yer kazanır. (Not: Bu ürün obsolete statüsündedir.)

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 145A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5320 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.9W (Ta), 198W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok