Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS6B03NLT1G

MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS6B03NLT1G

NVMFS6B03NLT1G Hakkında

NVMFS6B03NLT1G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 20A drain akımına sahip bu bileşen, yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4mΩ RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. 5DFN (5x6mm) yüzey montaj paketinde sunulan NVMFS6B03NLT1G, sürücü devreler, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 198W güç dağıtım kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 145A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5320 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.9W (Ta), 198W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok