Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS5C680NLT1G

MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS5C680N

NVMFS5C680NLT1G Hakkında

NVMFS5C680NLT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ile 8.1A sürekli (Ta) veya 21A (Tc) akım kapasitesine sahiptir. 27.5mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 5DFN yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve motorun hız kontrolü gibi endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 2.2V eşik gerilimi ile TTL/CMOS lojik seviyeleriyle uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.1A (Ta), 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.4W (Ta), 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27.5mOhm @ 7.5A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 13µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok