Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVMFS5C646NLAFT3G
MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVMFS5C646N
NVMFS5C646NLAFT3G Hakkında
NVMFS5C646NLAFT3G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 20A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 5DFN paket türünde sunulan bu bileşen, 4.7mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. 10V gate voltajında çalıştırıldığında 33.7nC gate charge ve 2164pF input capacitance değerlerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında güvenilir şekilde çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve inverter devrelerinde kullanılır. ±20V maksimum gate-source voltaj ile geniş uygulama alanlarına uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta), 93A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2164 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok