Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS5C645NLWFAFT3G

MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS5C645NLW

NVMFS5C645NLWFAFT3G Hakkında

NVMFS5C645NLWFAFT3G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 100A çalışma akımı (Tc'de) ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 4mΩ on-state direnci (RdsOn) düşük enerji kaybı sağlar. 5DFN (5x6) SMD paketinde sunulan bu komponent, switching uygulamaları, motor sürücüleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 34nC gate charge ve 2200pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama için optimize edilmiştir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Ta), 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok