Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS5C645NLAFT1G

MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS5C645NL

NVMFS5C645NLAFT1G Hakkında

NVMFS5C645NLAFT1G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim derecesi ile 22A sürekli akım kapasitesine sahiptir (Ta), termal koşullar altında 100A'e kadar çıkabilmektedir. 4mOhm maksimum on-direnci (10V, 50A) ile düşük kayıp uygulamalarına uygundur. 5x6mm 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve yüksek entegre yoğunluk gerektiren endüstriyel ve tüketici uygulamaları için tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Ta), 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok