Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS5C638NLT1G

MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS5C638N

NVMFS5C638NLT1G Hakkında

NVMFS5C638NLT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 26A sürekli drain akımı (Ta) kapasitesine sahip olan bu bileşen, 5DFN paket tipinde sunulmaktadır. 3mΩ düşük on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi sistemlerinde ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışan ve 4W (Ta) / 100W (Tc) güç dağıtım kapasitesine sahip bu transistör, hızlı komütasyon özellikleri ve düşük gate charge değerleri sayesinde verimli devre tasarımlarına uygun bir seçimdir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Ta), 133A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 4W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok