Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS5C612NLWFT1G

MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS5C612N

NVMFS5C612NLWFT1G Hakkında

NVMFS5C612NLWFT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 36A (Ta) / 235A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 5DFN (5x6) yüzey montaj paketinde sunulur. 1.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Güç dönüştürme, motor sürücüsü, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir bileşendir. 10V gate drive geriliminde 91nC gate charge değeri hızlı anahtarlamaya imkan tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Ta), 235A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6660 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok