Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS5C612NLAFT3G

MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS5C612NL

NVMFS5C612NLAFT3G Hakkında

NVMFS5C612NLAFT3G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajı ve 38A sürekli dren akımı (Ta'da) ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5DFN (8-PowerTDFN) paketinde sunulan bu bileşen, düşük 1.36mΩ RDS(on) değeriyle enerji verimliliği sağlar. Gate charge 91nC'dir ve ±20V maksimum gate-source voltajına dayanabilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen üretimi durdurulmuş olup yeni tasarımlarda kullanılmamaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 38A (Ta), 250A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6660 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.36mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok