Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS5C430NWFAFT1G

MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS5C430

NVMFS5C430NWFAFT1G Hakkında

NVMFS5C430NWFAFT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilim ve 35A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, 1.7mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 5DFN (5x6mm) compact paketlemesinde sunulan transistör, yüksek güç uygulamalarında ısıl yönetim açısından avantajlıdır. 47nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC konvertörleri ve elektriksel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Ta), 185A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok