Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVMFS5C410NLAFT1G
MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVMFS5C410N
NVMFS5C410NLAFT1G Hakkında
NVMFS5C410NLAFT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source gerilim ile çalışan bu bileşen, 50A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 330A (Tc) kapasitesine sahiptir. 0.82mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük sıcaklıkta verimli iletim sağlar. 8-PowerTDFN 5-pin pakette sunulan bu FET, güç anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, LED sürücüleri ve DC-DC konvertörler gibi yüksek akımlı anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma performansı ve 3.8W (Ta) / 167W (Tc) güç dağılım kapasitesi sunar. Yüksek hız anahtarlama ve kompakt tasarım gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Ta), 330A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 143 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8862 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.82mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok