Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS5826NLT3G

MOSFET N-CH 60V 8A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS5826NLT3G

NVMFS5826NLT3G Hakkında

NVMFS5826NLT3G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V ve 10V gate sürüş gerilimlerinde maksimum 24mOhm on-direnç değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. 5x6mm 5-DFN yüzey montaj paketi içinde sunulur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3.6W (Ta) maksimum güç dağılımı kapasitesine ve 17nC gate yükü değerine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok