Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVMFS5113PLWFT1G
MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVMFS5113
NVMFS5113PLWFT1G Hakkında
NVMFS5113PLWFT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı (25°C'de) kapasitesine sahiptir. Tc koşullarında 64A akım taşıyabilen bu bileşen, düşük on-dirençi (14mΩ @ 10V, 17A) sayesinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Surface mount pakete (5-DFN) konumlandırılan transistör, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun özellikleri taşır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 64A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok