Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS4C302NT1G

MOSFET N-CH 30V 43A/241A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS4C302NT1G

NVMFS4C302NT1G Hakkında

NVMFS4C302NT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 43A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 1.15mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Surface mount 5-DFN paket tipi ile kompakt devre tasarımlarına uygun, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor sürücüleri, güç kaynakları, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak tercih edilir. ±20V gate-source gerilim aralığında güvenli çalışma imkanı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 43A (Ta), 241A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5780 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok