Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVMFS4C01NWFT3G
MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVMFS4C01
NVMFS4C01NWFT3G Hakkında
NVMFS4C01NWFT3G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 49A (Ta @ 25°C) veya 319A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesiyle çalışır. 0.9mOhm (10V gate geriliminde, 30A drenaj akımında) düşük on-state direnci ile güç uygulamalarında kullanılır. PowerTDFN pakette (5x6mm, 8-SOFL) sunulan bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç dönüştürücüler ve yüksek akımlı uygulamalarda tercih edilir. Maksimum gate gerilimi ±20V, threshold gerilimi 2.2V (@250µA) olup -55°C ~ 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge 139nC (@10V) ile hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 49A (Ta), 319A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 139 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10144 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 3.84W (Ta), 161W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok