Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS4C01NWFT1G

MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS4C01NW

NVMFS4C01NWFT1G Hakkında

NVMFS4C01NWFT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ile çalışan bu bileşen, 49A sürekli dren akımı (Ta @ 25°C) ve 319A puls akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 0.9mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerTDFN paket içinde 5 kurşun ile sunulan bu transistör, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında işletim sıcaklığında çalışabilir. Surface mount teknolojisine sahip olması, kompakt tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 49A (Ta), 319A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10144 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.9mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok