Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS3D0P04M8LT1G

MV8 P INITIAL PROGRAM

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS3D0P04M8

NVMFS3D0P04M8LT1G Hakkında

NVMFS3D0P04M8LT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain to Source gerilimi ve 28A (Ta) / 183A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 2.7mΩ (10V, 30A koşullarında) düşük on-resistance değeri ile verimli güç dağılımı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Surface mount 8-PowerTDFN (5 Lead) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, batarya yönetim sistemleri ve motor kontrolü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V gate gerilim toleransı ve 2.4V eşik gerilimi ile kontrol devreleriyle kolay entegrasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Ta), 183A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5827 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 30A,10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 2mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok