Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS2D3P04M8LT1G

MV8 P INITIAL PROGRAM

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS2D3P04M8LT

NVMFS2D3P04M8LT1G Hakkında

NVMFS2D3P04M8LT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltaj desteğiyle 31A sürekli drenaj akımında çalışabilen bu bileşen, düşük 2.2mOhm on-resistance değeriyle anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 8-PowerTDFN paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasındaki sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Güç yönetimi, DC-DC konvertörler, motor sürücüler ve genel anahtarlama devrelerinde kullanılır. Düşük gate charge (157 nC) ve düşük input capacitance değerleri hızlı anahtarlama imkanı sunarak enerji tasarruflu tasarımları destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Ta), 222A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5985 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 2.7mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok