Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS027N10MCLT1G

PTNG 100V LL SO8FL

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS027N10MCL

NVMFS027N10MCLT1G Hakkında

NVMFS027N10MCLT1G, onsemi tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistördür. 8-PowerTDFN (5x6) paketinde sunulan bu bileşen, 7.9A sürekli dren akımı (Ta) ve 28A (Tc) kapasitesine sahiptir. 26mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışır. Güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve güç dönüştürücülerinde kullanılır. Hızlı sürüş karakteristiği ve düşük kapı yükü (11.5nC @ 10V) sayesinde verimli anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.9A (Ta), 28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 38µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok