Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS020N06CT1G

MOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS020N06CT

NVMFS020N06CT1G Hakkında

NVMFS020N06CT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 9A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, 5DFN paket tipinde sunulmaktadır. 19.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V gate gerilimi aralığında çalışır ve -55°C ile 175°C arasında sıcaklıkta güvenilir performans gösterir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve hızlı anahtarlama işlemlerinde kullanılır. 5.8nC gate charge değeri hızlı komütasyon özelliği sağlar. Surface mount montajı ile kompakt tasarımlara uygun bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 355 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.6mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 20µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok