Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFS016N10MCLT1G

PTNG 100V LL SO8FL

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFS016N10MCL

NVMFS016N10MCLT1G Hakkında

NVMFS016N10MCLT1G, onsemi tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistörüdür. Düşük on-state저항 (14mOhm @ 10V) ve yüksek drenaj akımı kapasitesi (10.9A @ 25°C, 46A @ Tc) ile karakterize edilir. 8-PowerTDFN (5-DFN 5x6) yüzey montajlı paket içinde sunulur. ±20V gate voltajı aralığında çalışan bu transistör, -55°C ile 175°C arası sıcaklık ortamlarında güvenli işlem sunar. 3.6W (Ta) ve 64W (Tc) maksimum güç tüketimi özellikleriyle endüstriyel anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç yönetim devreleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi alanlarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.9A (Ta), 46A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 64W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 64µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok