Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVMFD6H852NLT1G

MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFD6H852NL

NVMFD6H852NLT1G Hakkında

NVMFD6H852NLT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj, 7A sürekli drain akımı (25°C'de) ve 25A maksimum drain akımı (ısı yönetimi ile) kapasitesine sahiptir. 25.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerTDFN (5x6mm) yüksek entegrasyonlu paket tipinde sunulur. Güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve dönüştürücü devrelerde kullanılan verimli bir transistörel çözümdür. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 38W ısı dağıtım kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta), 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 521 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25.5mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 26µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok