Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVLJS053N12MCLTAG
PTNG 120V LL NCH IN UDFN 2.0X2.0
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVLJS053N12MCLTAG
NVLJS053N12MCLTAG Hakkında
NVLJS053N12MCLTAG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 120V drain-source gerilim (Vdss) ile tasarlanan bu bileşen, 4.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 53mOhm düşük on-resistance (Rds On) değeri ile güç uygulamalarında verimli çalışma sağlar. 6-UDFN (2x2mm) SMD paketinde sunulan komponent, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 7.8nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 620mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53mOhm @ 5.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-UDFN (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 30µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok