Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVJS3151PT1G
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVJS3151PT
NVJS3151PT1G Hakkında
NVJS3151PT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilim kapasitesi ve 2.7A sürekli akım değeriyle tasarlanmıştır. SC-88/SOT-363 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 4.5V gate geriliminde 60mOhm drain-source direnç karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Düşük kapasite (850pF @ 12V) ve hızlı gate şarj karakteristiği (8.6nC @ 4.5V) nedeniyle anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 625mW güç disipasyonu kapasitesiyle, ses amplifikatörleri, güç yönetim devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Not: Bu bileşen üretim durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 625mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok