Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVHL160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVHL160N120SC1
NVHL160N120SC1 Hakkında
NVHL160N120SC1, onsemi tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı bir N-kanallı güç MOSFET transistörüdür. 1200V yüksek blokaj voltajı ve 17A sürekli dren akımı kapasitesi ile, güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 224mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını sınırlandırır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışan sıcaklık aralığında kararlı performans sağlar. Endüstriyel invertörler, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 34nC gate charge ve düşük kapasitans değerleri hızlı anahtarlama karakteristiği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 665 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 119W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 224mOhm @ 12A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok