Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVHL080N120SC1A
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVHL080N120SC1A
NVHL080N120SC1A Hakkında
NVHL080N120SC1A, onsemi tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı N-Channel güç transistörüdür. 1200V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 31A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 110mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 178W güç tüketim kapasitesi sayesinde enerji dönüşüm, motor sürücüler, endüstriyel güç kaynakları ve fotovoltaik invertörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışmak üzere tasarlanmıştır. Düşük gate charge (56nC) ve input kapasitans özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1670 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 178W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok