Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVHL080N120SC1
SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVHL080N120SC1
NVHL080N120SC1 Hakkında
NVHL080N120SC1, onsemi tarafından üretilen 1200V N-kanal SiCFET (Silicon Carbide Field Effect Transistor) transistörüdür. 44A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında hızlı anahtarlama ve düşük kayıp özelliği sunmaktadır. 110mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücü, invertör, UPS ve elektrik araç şarj sistemleri gibi yüksek güç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1670 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 348W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok