Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVHL060N090SC1
SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVHL060N090SC1
NVHL060N090SC1 Hakkında
NVHL060N090SC1, onsemi tarafından üretilen 900V SiCFET (Silicon Carbide FET) N-Channel MOSFET transistördür. 46A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paket tipi ile endüstriyel ve ticari seviyede yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde, elektrik arabası şarj sistemlerinde ve fotovoltaik güç dönüştürücülerinde tercih edilir. 84mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlarken, geniş -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlar için uygunluğunu gösterir. Silicon Carbide teknolojisi ile daha hızlı anahtarlama ve düşük ısı kaybı özellikleri sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 46A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1770 pF @ 450 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 221W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 84mOhm @ 20A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +19V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok