Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVHL020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVHL020N120SC1
NVHL020N120SC1 Hakkında
NVHL020N120SC1, onsemi tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 103A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 28mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. SiC teknolojisi sayesinde yüksek sıcaklıklarda ve hızlı anahtarlama operasyonlarında kullanılan güç dönüştürücüleri, invertörler ve UPS sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 535W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile endüstriyel ve enerji uygulamalarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 103A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 203 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2890 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 535W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 60A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 20mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok