Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVHL020N090SC1
SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVHL020N090SC1
NVHL020N090SC1 Hakkında
NVHL020N090SC1, onsemi tarafından üretilen 900V N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) güç transistörüdür. 118A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 28mOhm maksimum RDS(on) değeri ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, açık kapı gerilimi 15V'de çalışır ve 196nC gate charge değerine sahiptir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) güvenli işletim sağlayan NVHL020N090SC1, endüstriyel güç dönüştürme devreleri, inverterler, adaptörler ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde daha düşük kayıplar ve yüksek verimlilik sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 118A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 196 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4415 pF @ 450 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 503W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 60A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +19V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 20mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok