Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVH4L160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVH4L160N120SC
NVH4L160N120SC1 Hakkında
NVH4L160N120SC1, onsemi tarafından üretilen 1200V SiCFET (Silicon Carbide) N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, 17.3A sürekli drenaj akımı ve 224mΩ maksimum RDS(on) değeriyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. Gate charge'ı 34nC @ 20V ve input capacitance'ı 665pF @ 800V olan bu transistör, güç kaynakları, inverterler, motorlar sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen NVH4L160N120SC1, maksimum 111W güç tüketebilir ve aktif üretim durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 665 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 111W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 224mOhm @ 12A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok