Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVH4L020N090SC1
SIC MOSFET 900V TO247-4L
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVH4L020N090SC1
NVH4L020N090SC1 Hakkında
NVH4L020N090SC1, onsemi tarafından üretilen 900V SiC MOSFET transistörüdür. N-Channel konfigürasyonunda tasarlanan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere geliştirilmiştir. TO-247-4L paketinde sunulan transistör, 116A sürekli drain akımı ve 16mOhm maksimum on-state direnci ile çalışır. 484W maksimum güç dağılımı kapasitesi sayesinde endüstriyel güç dönüştürücüler, invertörler, UPS sistemleri ve yüksek voltajlı şarj cihazlarında uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu MOSFET, düşük gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama işlemlerini destekler. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan entegre edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 116A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 196 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4415 pF @ 450 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 484W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 60A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +22V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 20mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok