Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVGS5120PT1G
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVGS5120P
NVGS5120PT1G Hakkında
NVGS5120PT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 1.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. 111mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. 10V gate voltajında 18.1nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlamaya olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 942 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 600mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 111mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok