Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVGS4111PT1G
NVGS4111 - SINGLE P-CHANNEL POWE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVGS4111
NVGS4111PT1G Hakkında
NVGS4111PT1G, Rochester Electronics tarafından üretilen tek kanallı P-Channel güç MOSFET transistörüdür. SOT-23-6 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 30V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 3.7A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 60mΩ on-resistance (RDS(on)) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 630mW güç tüketimi özelliğine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı MOSFET uygulamalarında kullanılan bu transistör, kompakt tasarım gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 630mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.7A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok