Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVGS3130NT1G

MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
NVGS3130NT

NVGS3130NT1G Hakkında

NVGS3130NT1G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj (Vdss) ve 4.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 24mOhm maksimum on-direnci (Rds On), düşük güç kaybı ve verimli çalışma sağlar. SOT-23-6 yüzey montajlı paket tipi, kompakt devre tasarımlarına uygun olup mobil cihazlar, güç yönetimi, LED sürücüleri ve genel elektronik anahtarlama devrelerinde uygulanır. -55°C ile +150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 935 pF @ 16 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Supplier Device Package 6-TSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok