Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVF6P02T3G
MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVF6P02T3G
NVF6P02T3G Hakkında
NVF6P02T3G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilim, 10A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. SOT-223 (TO-261-4) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate geriliminde 50mOhm maksimum on-direnci değerine sahiptir. Gate yükü 20nC ve input kapasitansi 1200pF'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına uyumludur. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, invertör tasarımları ve low-side switch uygulamalarında kullanılan bu transistör, kompakt tasarım gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur. Part status olarak yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 8.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok