Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVF5P03T3G

MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
NVF5P03T3G

NVF5P03T3G Hakkında

NVF5P03T3G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. SOT-223 paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source geriliminde 3.7A sürekli drenaj akımı sağlar. Rds(on) değeri 10V gate geriliminde 100mOhm olarak belirtilmiştir. Gate charge özelliği 38nC @ 10V olup, input capacitance 950pF @ 25V'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük sinyal seviyesi kontrolü gerektiren uygulamalarda kullanılır. Maksimum güç dağılımı 1.56W (Ta)'dır. Not: Bu bileşen yeni tasarımlar için tavsiye edilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 5.2A, 10V
Supplier Device Package SOT-223 (TO-261)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok