Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVF3055L108T3G

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
NVF3055L

NVF3055L108T3G Hakkında

NVF3055L108T3G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 5V gate sürüş geriliminde 120mOhm maksimum on-state direncine sahiptir. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve düşük sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 1.3W maksimum güç dağılımı kapasitesine ve 15nC gate yüküne sahiptir. Düşük RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 1.5A, 5V
Supplier Device Package SOT-223 (TO-261)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±15V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok