Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVF3055L108T1G
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVF3055L
NVF3055L108T1G Hakkında
NVF3055L108T1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim ve 3A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, SOT-223 (TO-261) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 5V gate sürücü geriliminde 120mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük konduktans kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Switch uygulamaları, akım kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılmaya uygundur. Maksimum 1.3W güç tüketimi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. Part Status olarak yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 1.5A, 5V |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok