Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVF3055-100T1G

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
NVF3055

NVF3055-100T1G Hakkında

NVF3055-100T1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 3A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. SOT223 (TO-261) yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, 110mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açma direnci sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu gösterir. Anahtarlama devrelerine, motor kontrolüne, güç yönetim sistemlerine ve DC-DC dönüştürücülere entegre edilebilir. 22nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 455 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package SOT-223 (TO-261)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok