Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVF2955T1G
MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVF2955
NVF2955T1G Hakkında
NVF2955T1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim ve 2.6A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. SOT223 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi sistemleri ve gerilim regülatörü tasarımlarında tercih edilir. 170mOhm RDS(on) değeriyle düşük geçiş kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu gösterir. 10V drive voltajında 14.3nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 492 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 750mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok