Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVF2955PT1G
MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVF2955
NVF2955PT1G Hakkında
NVF2955PT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 1.7A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. SOT-223 (TO-261-4) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 185mOhm maksimum on-dirençle düşük güç kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Güç tüketimi maksimum 1W olup, 14.3nC gate yükü ve 492pF input kapasitansı ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. Batarya yönetimi, motor kontrol ve anahtar modlu güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 492 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok