Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD6824NLT4G
MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD6824
NVD6824NLT4G Hakkında
NVD6824NLT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ile tasarlanmıştır ve 8.5A (Ta) ile 41A (Tc) sürekli dren akımı sağlar. 20mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunarak verimli güç dönüşümü sağlar. DPAK (TO-252-3) paketinde surface mount olarak monte edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate threshold gerilimi 2.5V @ 250µA, maksimum gate gerilimi ±20V'dir. Anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmak üzere uygun bir tasarımdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Ta), 41A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3468 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 3.9W (Ta), 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok